Транзистор FHA60T65 IGBT 

IGBT-транзистор FHA60T65 (FHA60T65A)

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Fanhua Semiconductor / FH Power
• Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (короткочасно в імпульсі до ±30 В)
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 120 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 60 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 337 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.30 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: ~130 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~2900 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~125 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: ~95 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.75 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~70 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.44 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.05 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий високошвидкісний комутаційний ключ середньої та високої потужності, оптимізований для інверторних систем із жорстким перемиканням.
• Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори (MMA/TIG/MIG), джерела безперебійного живлення, сонячні інвертори, портативні генератори.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні перетворювачі напруги, активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC) та ШІМ-регулятори керування потужними електроприводами.

FHA60T65  Datasheet завантажити