Оригінал.
Новий. Транзистор FQA28N50C ADL MOSFET 
Оригінал! (заміна STW28NM50N, SPW24N60CFD, 24N60 CFD 24N60C3) TO-247
Виробник - ADL
 

MOSFET-транзистор FQA28N50C ADL

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: ADL
• Технологічна база: QFET MOSFET Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 28 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 17.5 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 112 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 280 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.125 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.160 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 110 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 4340 пФ
• Вихідна ємність Coss: 540 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 140 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.4 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 28 А
• Швидкість відновлення діода dv/dt: 4.5 В/нс
• Час зворотного відновлення діода trr: 390 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.45 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–середовище Rthja: 40 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Потужний високовольтний комутаційний ключ для мережевих перетворювачів напруги та систем джерел живлення.
• Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, сонячні перетворювачі, промислові та побутові джерела безперебійного живлення (UPS).
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні коректори коефіцієнта потужності (PFC), мостові та напівмостові схеми ШІМ-регулювання.

FQA28N50C Datasheet завантажити