Транзистор CS20N50F   TO-220F MOSFET N-канал 

MOSFET-транзистор CS20N50F

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huajing Microelectronics
• Технологічна база: Planar VDMOS Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220F

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 20 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 12.5 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 80 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 45 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.21 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.26 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 60 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2800 пФ
• Вихідна ємність Coss: 290 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 85 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.5 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 20 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 460 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 2.77 °C/Вт
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високовольтний комутаційний ключ середньої потужності для мережевих імпульсних джерел живлення.
• Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, блоки живлення персональних комп'ютерів, джерела безперебійного живлення, адаптери живлення та зарядні пристрої.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні перетворювачі напруги, активні схеми корекції коефіцієнта потужності, мостові та напівмостові ШІМ-регулятори.

CS20N50F Datasheet завантажити