Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
впередназад
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 2
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 3
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 4
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 5
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 6

Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220

50 ₴

29 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 471
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригінал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220Готово до відправки
50 ₴29 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

HY1906- потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.
Заміна для BUZ111S HRF3205 HUF75344P3 STP80NF55-06  HY1906, HY1906P IRF3205 

MOSFET-транзистор HY1906P

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Hooyi Semiconductor
  • Технологічна база: Stripe Cellular Design Power MOSFET
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В
  • Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±25 В
  • Постійний струм стоку Id при 25°C: 120 А (номінальне обмеження корпусу; струм кристала до 160 А)
  • Постійний струм стоку Id при 100°C: 90 А
  • Піковий імпульсний струм стоку Idm: 480 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 200 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 3.5 мОм
  • Максимальний опір стоку Rds(on) max: 4.5 мОм (при Vgs = 10 В)
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Повний заряд затвора Qg: 105 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: 5100 пФ
  • Вихідна ємність Coss: 720 пФ
  • Час затримки вимкнення td(off): 60 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vsd: 1.3 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода Is: 120 А
  • Час зворотного відновлення діода trr: 58 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.75 °C/Вт
  • Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Силовий комутаційний ключ високої потужності з наднизьким опором відкритого каналу для низьковольтних ланцюгів із великими струмами.
  • Сумісні пристрої: Потужні інвертори напруги 12/24 В, джерела безперебійного живлення, контролери електротранспорту, сонячні контролери заряду.
  • Системи керування: Високострумові ШІМ-регулятори швидкості двигунів, плати захисту та балансування літієвих акумуляторних батарей (BMS), схеми синхронного випрямлення.


HY1906 Datasheet завантажити

Характеристики
Основні
ВиробникInternational Rectifier
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+60V
Максимальний струм120
Тип транзизораMOSFET
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 29 ₴