Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
впередназад
Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD), фото 2
Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD), фото 3
Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD), фото 4
Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD), фото 5
Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD), фото 6

Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD)

135 ₴

  • Немає в наявності
  • Код: 480
Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD)
Транзистор G75T65AK5HD Оригінал! 90A/75A 650V IGBT (замSна G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3SD, G75T60AK3HD)Немає в наявності
135 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно

Транзистор IGBT оригінальний G75T65AK5HD. CRG75T65AK5SD(заміна для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD,G75T65AK3HD) TT075N065EQ 

IGBT-транзистор G75T65AK5HD

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Goford Semiconductor
  • Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (імпульсна короткочасна стійкість до ±30 В)
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 150 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 75 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 300 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 430 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.15 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~170 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: ~4200 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~150 пФ
  • Характеристика перемикання: Оптимізована високошвидкісна серія зі зниженими динамічними втратами при комутації

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.65 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 75 А
  • Час зворотного відновлення діода trr: ~60 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.35 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 0.68 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Потужний високошвидкісний силовий комутаційний ключ для важконавантажених інверторних систем з високою частотою ШІМ.
  • Сумісні пристрої: Промислові зварювальні інвертори великої потужності, сонячні фотоелектричні перетворювачі, трифазні джерела безперебійного живлення.
  • Системи керування: Високочастотні імпульсні перетворювачі енергії, активні схеми корекції коефіцієнта потужності, мостові інвертори та системи частотно-регульованого електроприводу.

G75T65AK5HD Datasheet завантажити

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальний струм90A
Максимальна напруга+650V
Тип транзизораIGBT
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 135 ₴
  • Спосіб упаковки: картон