Транзистор NCE60TD60BT, Оригінал! 60A/120A, 600V IGBT NCE60TD60BP TO-247

 NCE60TD60BT Оригінал. NCE60TD60BP  IGBT 

IGBT-транзистор NCE60TD60BT

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
• Технологічна база: Trench Field Stop II Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 120 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 60 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 319 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 1.90 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.0 В
• Струм витоку колектор-емітер Ices: 5 мкА
• Допустимий час короткого замикання tsc: 5 мкс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.70 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 60 А
• Піковий імпульсний струм діода Ifm: 240 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 186 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.47 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.72 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий високошвидкісний комутаційний ключ для потужних інверторних систем з жорсткими та м'якими топологіями комутації.
• Сумісні пристрої: Промислові та побутові зварювальні інвертори, потужні сонячні інвертори, системи кондиціонування повітря та джерела безперебійного живлення.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні модулі корекції коефіцієнта потужності та ШІМ-інвертори частотно-регульованих електроприводів.