Технічні характеристики IGBT-транзистора G40T65AK5HD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Trench Field Stop Technology FS
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 80 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 40 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 120...160 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 227 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.45 В при номінальному струмі 40 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 1.90...2.10 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...7.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~72 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~2600 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: ~120-150 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.45...1.65 В при прямому струмі 40 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~75-110 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 40 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: ~0.66 °C/Вт

G40T60AK5HD Datasheet завантажити