Транзистор IXFH22N65X2 IXYS Оригінал!!! 22A, 650V, MOSFET (заміна md20n65, IXFP22N65X2 IXFH22N65X2) TO-247
158 ₴
- Готово до відправки
- Код: 457
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Оригінал.
Новий. Транзистор IXFH22N65X2 Оригінал! (заміна md20n65 IXFP22N65X2 IXFH22N65X2) TO-247
MOSFET-транзистор IXFH22N65X2
Загальні параметри:
- Виробники / Бренд: Littelfuse / IXYS
- Технологічна база: Ultra Junction X2-Class Power MOSFET
- Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
- Виконання корпусу: TO-247 (TO-247AD)
Електричні параметри (Гранично допустимі значення):
- Максимальна напруга стік-витік Vdss: 650 В
- Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
- Постійний струм стоку Id при 25°C: 22 А
- Піковий імпульсний струм стоку Idm: 44 А
- Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 390 Вт
- Максимальна швидкість наростання напруги dv/dt: 50 В/нс
Статичні та динамічні характеристики транзистора:
- Типовий опір стоку в увімкненому стані Rds(on): 115 мОм
- Максимальний опір стоку Rds(on) max: 145 мОм (при Vgs = 10 В)
- Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.5...4.5 В
- Повний заряд затвора Qg: 34 нКл
- Вхідна ємність Ciss: 1920 пФ
- Вихідна ємність Coss: 1150 пФ
- Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 400 мДж
Параметри вбудованого захисного діода:
- Максимальний постійний прямий струм діода Is: 22 А
- Типова пряма напруга діода Vsd: 1.4 В
- Час зворотного відновлення діода trr: 100 нс
- Заряд зворотного відновлення Qrr: 460 нКл
Теплові параметри та експлуатація:
- Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
- Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.32 °C/Вт
- Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та low intrinsic gate resistance (Rg) від виробника
Область застосування та використання:
- Основне призначення: Високошвидкісний комутаційний ключ з наднизьким зарядом затвора та високою стійкістю до жорстких режимів перемикання hard-switching.
- Сумісні пристрої: Телекомунікаційні та серверні блоки живлення, сонячні інвертори, промислові джерела безперебійного живлення, зарядні станції для електромобілів.
- Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення (SMPS), мостові топології перетворення енергії (LLC, Full-Bridge), активні коректори коефіцієнта потужності (PFC) та DC-DC перетворювачі.
IXFH22N65X2 Datasheet завантажити
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість в упаковці | 1 шт. |
| КОРПУС | TO-247 |
| Максимальна напруга+ | 650V |
| Максимальний струм | 22A |
| Тип транзизора | MOSFET |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 158 ₴








