Транзистор CRSQ027N10N Оригінал!!! 240A/177A, 100V, MOSFET, TO-247

CRSQ027N10N - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-247.

MOSFET-транзистор CRSQ027N10N

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: SkyMOS1 N-MOSFET Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 240 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 177 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 720 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 454 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 2.6 мОм
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 3.1 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Вхідна ємність Ciss: 11355 пФ
• Вихідна ємність Coss: 1420 пФ
• Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 460 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 240 А
• Тип діода: Вбудований швидкодіючий захисний боді-діод

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високострумовий комутаційний ключ високої потужності з мінімальним опором відкритого каналу для сильнонавантажених вузлів.
• Сумісні пристрої: Промислові джерела безперебійного живлення, потужні сонячні інвертори, контролери електротранспорту, системи керування акумуляторними батареями великої місткості.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, інверторні схеми приводів електродвигунів, пристрої синхронного випрямлення струму та ШІМ-регулятори потужності.

CRSQ027N10N Datasheet завантажити