Транзистор оригінальний G40T65AK5SD. G40T65AK3SD

IGBT-транзистор G40T65AK5SD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Goford Semiconductor
• Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (короткочасно в імпульсі до ±30 В)
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 283 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: 98 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2340 пФ
• Вихідна ємність Coss: 78 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: 92 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.60 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 40 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 48 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.53 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.15 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Швидкісний силовий комутаційний ключ середньої потужності з низькими втратами провідності.
• Сумісні пристрої: Інверторні зварювальні апарати легкого та середнього класу, джерела безперебійного живлення, сонячні інвертори.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності та ШІМ-інвертори електроприводів побутової техніки.

G40T60AK5SD Datasheet завантажити