Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор DXG60N65HSE Оригінал!!!  120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 2
Транзистор DXG60N65HSE Оригінал!!!  120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 3
Транзистор DXG60N65HSE Оригінал!!!  120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 4
Транзистор DXG60N65HSE Оригінал!!!  120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 5

Транзистор DXG60N65HSE Оригінал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)

115 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 442
Транзистор DXG60N65HSE Оригінал!!!  120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)
Транзистор DXG60N65HSE Оригінал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)Готово до відправки
115 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Оригінал. Новий. Транзистор DXG60N65HSE Оригінал (DXG60N65HSEU, заміна для DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)
Daxin IGBT-транзистор DXG60N65HSE

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Dongxin Semi (Dongxin Microelectronics)
  • Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 120 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 60 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 330 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.30 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~135 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: ~2900 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~125 пФ
  • Характеристика перемикання: Оптимізована під високу частоту комутації (серія High Speed) з малими втратами при вимкненні

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.75 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А
  • Тип діода: Вбудований швидкий FRD діод із м'яким профілем відновлення

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.39 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 0.90 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Потужний швидкісний силовий перемикач для інверторних систем з жорсткими та м'якими топологіями комутації.
  • Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори (MMA/TIG/MIG), джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS), сонячні перетворювачі та портативні генератори.
  • Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення (SMPS), активні модулі корекції коефіцієнта потужності (PFC) та ШІМ-інвертори електроприводів.


DXG60N65HSE Datasheet завантажити

Характеристики
Основні
ВиробникSilan
Країна виробникКитай
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм120
Тип транзизораIGBT
Інформація для замовлення
  • Ціна: 115 ₴