Транзистор CRST045N10N Оригінал!!! 120A/109A, 100V, MOSFET,(XC72090) корпус TO-220

CRST045N10N - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.(XC72090)

MOSFET-транзистор CRST045N10N

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: SkyMOS1 N-MOSFET Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 120 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 103 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 480 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 227 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 3.8 мОм
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 4.5 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 88 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 5960 пФ
• Вихідна ємність Coss: 1420 пФ
• Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 320 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальна пряма напруга діода Vsd max: 1.4 В
• Час зворотного відновлення діода trr: 84 нс
• Заряд зворотного відновлення Qrr: 115 нКл

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та 100% DVDS Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високострумовий комутаційний ключ середньої напруги з наднизьким опором каналу для систем високої потужності.
• Сумісні пристрої: Контролери потужного електротранспорту, інвертори напруги 24/48 В, джерела безперебійного живлення, зарядні станції та сонячні контролери.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, схеми синхронного випрямлення, ШІМ-регулятори швидкості двигунів та плати захисту акумуляторів.

CRST045N10N Datasheet завантажити