Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор AO TF13N50  Оригінал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F, фото 2
Транзистор AO TF13N50  Оригінал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F, фото 3
Транзистор AO TF13N50  Оригінал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F, фото 4

Транзистор AO TF13N50 Оригінал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F

65 ₴

46,80 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 409
Транзистор AO TF13N50  Оригінал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F
Транзистор AO TF13N50 Оригінал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220FГотово до відправки
65 ₴46,80 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора AOTF13N50

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
  • Технологічна база: Потужна високовольтна технологія MOSFET (режим збагачення)
  • Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
  • Виконання корпусу: TO-220F повністю ізольований пластиковий корпус

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

  • Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В
  • Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±30 В
  • Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 13 А
  • Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 8.2 А
  • Піковий імпульсний струм стоку Idm: 46 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 46 Вт (значення обмежене тепловими властивостями ізольованого корпусу)
  • Енергія одиночного лавинного пробою Eas: ~468 мДж

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 420 мОм 0.42 Ом при напрузі затвора 10 В та струмі 6.5 А
  • Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 520 мОм 0.52 Ом
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 3.0...5.0 В при струмі 250 мкА
  • Повний заряд затвора Qg: ~30 нКл при напрузі затвора 10 В
  • Вхідна ємність Ciss: ~1425 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~162 пФ
  • Час затримки ввімкнення tdon: ~20 нс
  • Час затримки вимкнення tdoff: ~48 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В при прямому струмі 13 А
  • Час зворотного відновлення trr: ~340 нс швидкісний інтегрований діод зворотного струму
  • Максимальний постійний прямий струм діода If: 13 А

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 2.70 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Силовий перемикаючий ключ для високовольтних імпульсних джерел живлення SMPS, де потрібна електрична ізоляція від радіатора без використання додаткових прокладок.
  • Сумісні пристрої: Адаптери живлення та зарядні пристрої побутової електроніки, телевізори, монітори, блоки живлення ПК, а також невеликі світлодіодні драйвери.
  • Системи керування: Активні схеми корекції коефіцієнта потужності PFC малої потужності, однотактні та двотактні імпульсні перетворювачі напруги.

AOTF13N50 Datasheet завантажити

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникСинтекс
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-220F
Максимальна напруга+500V
Максимальний струм13A
Тип транзизораMOSFET
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 46,80 ₴