Транзистор OST60N65HSXF Оригінал! OST60N65HSX

IGBT-транзистор OST60N65HSX

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Oriental Semiconductor
• Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при 20°C: 120 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 60 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А
• Максимальна напруга стійкості колектора: 600 В

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.35 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: 140 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2950 пФ
• Вихідна ємність Coss: 120 пФ
• Характеристика перемикання: Низькі втрати на комутацію з мінімальним «хвостовим» струмом вимкнення

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.75 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А
• Тип діода: Вбудований надшвидкий діод із м'яким відновленням

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт
• Ефективність охолодження: Корпус оптимізовано під монтаж на потужні радіатори із примусовим повітряним обдувом

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий високошвидкісний комутаційний ключ для важконавантажених інверторів.
• Сумісні пристрої: Сучасні інверторні зварювальні апарати, сонячні перетворювачі та інвертори, промислові джерела безперебійного живлення.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні модулі корекції коефіцієнта потужності та ШІМ-інвертори електроприводів.

OST60N65HSX Datasheet завантажити