MOSFET-транзистор CS13N50F

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huajing Microelectronics
• Технологічна база: Planar VDMOS Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220F

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 13 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 8.1 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 52 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 50 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.43 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.52 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 42 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 1710 пФ
• Вихідна ємність Coss: 178 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 65 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.5 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 13 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 430 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 2.5 °C/Вт
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високовольтний комутаційний ключ середньої потужності для мережевих імпульсних джерел живлення.
• Сумісні пристрої: Електронні баласти освітлювальних приладів, блоки живлення побутової електроніки, телевізорів, адаптери та зарядні пристрої.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, DC-DC перетворювачі напруги, ШІМ-контролери та каскади керування реле чи соленоїдами.

CS13N50F Datasheet завантажити