Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Драйвер EG2126, фото 2
Драйвер EG2126, фото 3
Драйвер EG2126, фото 4
Драйвер EG2126, фото 5

Драйвер EG2126

120 ₴

78 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 432
Драйвер EG2126
Драйвер EG2126Готово до відправки
120 ₴78 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Драйвер затвора EG2126

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: EG Micro (Eastsoft Microelectronics)
  • Технологічна база: High Voltage High Speed Gate Driver (КМОН-технологія)
  • Конфігурація кристала: Напівмостовий драйвер для керування затворами MOSFET і IGBT транзисторів (незалежні канали верхнього та нижнього плечей)
  • Виконання корпусу: SOP-28

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга зсуву каналу верхнього плеча Vb: 620 В
  • Діапазон напруги живлення низьковольтної частини Vcc: 10...20 В
  • Вихідна напруга каналу нижнього плеча Vlo: від -0.3 В до Vcc
  • Вихідна напруга каналу верхнього плеча Vho: від Vs - 0.3 В до Vb
  • Максимальний вихідний вхідний струм Io+ (заряд затвора): 2.0 А
  • Максимальний вихідний вихідний струм Io- (розряд затвора): 2.5 А

Статичні та динамічні характеристики:

  • Час затримки ввімкнення ton типовий: 120 нс
  • Час затримки вимкнення toff типовий: 90 нс
  • Вбудований час затримки взаємного блокування (Deadtime): 200 нс
  • Різниця затримок каналів увімкнення/вимкнення: до 20 нс
  • Логічні рівні вхідних сигналів HIN / LIN: сумісні з 3.3 В, 5 В та 15 В логікою
  • Струм споживання в режимі очікування: менше 1 мкА

Параметри захисту та контролю:

  • Захист від одночасного ввімкнення (Cross-conduction protection): Інтегрований, запобігає наскрізним струмам у напівмості
  • Функція блокування при зниженні напруги (UVLO): Вбудований захист для каналів верхнього та нижнього плечей при Vcc < 8.3 В

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +125 °C
  • Температура зберігання: від -55 °C до +150 °C

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високовольтне швидкісне керування силовими MOSFET і IGBT ключами в напівмостових та мостових топологіях.
  • Сумісні пристрої: Чисті синусоїдальні інвертори (наприклад, плати серії EGS002), автомобільні інвертори 12/24/48 В, джерела безперебійного живлення, побутова техніка з безколекторними двигунами.
  • Системи керування: Драйвери безщіткових двигунів постійного струму (BLDC), високочастотні імпульсні блоки живлення, ШІМ-контролери та інвертори зварювальних апаратів.

EG2126  Datasheet скачать
Характеристики
Основні
ВиробникОГОЛОШЕННЯ
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 78 ₴