Транзистор P65NF06 Оригінал!!! 60A, 60V, MOSFET, (65NF06, STP65NF06, P65NF06) корпус TO-220

 P65NF06, 65NF06, STP65NF06, P65NF06 - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

MOSFET-транзистор P65NF06

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: STMicroelectronics
• Технологічна база: STripFET II Power MOSFET
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 65 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 45 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 260 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 110 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.022 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.026 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 42 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 1450 пФ
• Вихідна ємність Coss: 315 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 38 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.5 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 65 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 70 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 1.36 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–середовище Rthja: 62.5 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий комутаційний ключ з високою швидкістю перемикання для низьковольтних схем.
• Сумісні пристрої: Автомобільна електроніка, джерела безперебійного живлення, зарядні пристрої, інвертори напруги 12/24 В.
• Системи керування: Імпульсні стабілізатори живлення, ШІМ-регулятори швидкості двигунів постійного струму, електронні реле та системи комутації навантаження.

P65NF06 Datasheet завантажити