Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор BT50T60 ANFK Оригінал!!! 100A/50A, 600V, IGBT( заміна BT40T60, BT50T60ANFD, BT50T60BNF) TO-3P, фото 2
Транзистор BT50T60 ANFK Оригінал!!! 100A/50A, 600V, IGBT( заміна BT40T60, BT50T60ANFD, BT50T60BNF) TO-3P, фото 3
Транзистор BT50T60 ANFK Оригінал!!! 100A/50A, 600V, IGBT( заміна BT40T60, BT50T60ANFD, BT50T60BNF) TO-3P, фото 4

Транзистор BT50T60 ANFK Оригінал!!! 100A/50A, 600V, IGBT( заміна BT40T60, BT50T60ANFD, BT50T60BNF) TO-3P

125 ₴

106,25 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 435
Транзистор BT50T60 ANFK Оригінал!!! 100A/50A, 600V, IGBT( заміна BT40T60, BT50T60ANFD, BT50T60BNF) TO-3P
Транзистор BT50T60 ANFK Оригінал!!! 100A/50A, 600V, IGBT( заміна BT40T60, BT50T60ANFD, BT50T60BNF) TO-3PГотово до відправки
125 ₴106,25 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор BT50T60 Оригинал ( BT50T60ANF , BT50T60ANFD , BT50T60BNF ) , TO-3P

IGBT-транзистор BT50T60 (BT50T60ANF)

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Jiashan Jinchang Electron / JieJie Microelectronics
  • Технологічна база: Trench Field Stop Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 100 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 50 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 150 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 280 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.95 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.45 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: 135 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: 2900 пФ
  • Вихідна ємність Coss: 115 пФ
  • Час затримки вимкнення tdoff: 92 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.70 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 25 А
  • Час зворотного відновлення діода trr: 75 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.25 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Силовий комутаційний ключ середньої та високої потужності, оптимізований для високої частоти перемикання та низьких втрат провідності.
  • Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, сонячні інвертори, промислові джерела безперебійного живлення, побутова техніка з частотним керуванням.
  • Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, схеми активної корекції коефіцієнта потужності та ШІМ-контролери електроприводів.

 BT50T60 ANF Datasheet завантажити

 

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-3P
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм100A
Тип транзизораIGBT
Інформація для замовлення
  • Ціна: 106,25 ₴