Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT (заміна для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247

IGBT-транзистор FGH60N60SFD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
• Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 120 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 60 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 378 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 2.3 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.9 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: 189 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2740 пФ
• Вихідна ємність Coss: 265 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: 111 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 2.1 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 45 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.33 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.1 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високошвидкісний силовий комутаційний ключ для пристроїв із жорстким та м'яким перемиканням.
• Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, сонячні інвертори, джерела безперебійного живлення, побутові прилади.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, схеми корекції коефіцієнта потужності та ШІМ-регулятори інверторних приводів двигунів.

FGH60N60SFD   Datasheet завантажити