Драйвер NSI6602 NSI6602, NSI66 02BD, NSI66 02BD, NSI66 02B, NSI6602B (замена NSI66 02AD)

Драйвер затвора NSI6602BD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NOVOSENSE Microelectronics
• Технологічна база: High Reliability Isolated Dual-Channel Gate Driver
• Конфігурація кристала: Високонадійний ізольований двоканальний драйвер затвора для керування MOSFET, IGBT та GaN транзисторами
• Виконання корпусу: SOW16 або SOP16

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Вхідна напруга живлення логічної частини Vcc1: від 2.7 В до 5.5 В
• Напруга живлення вихідних драйверів Vcc2: до 28 В
• Максимальний вихідний імпульсний струм заряду: 4.0 А
• Максимальний вихідний імпульсний струм розряду: 6.0 А
• Максимальна робоча частота перемикання: до 2 МГц

Статичні та динамічні характеристики:

• Типове значення затримки поширення сигналу: 19 нс
• Максимальне узгодження затримки між каналами: 5 нс
• Максимальне спотворення ширини імпульсу: 6 нс
• Допустима мінімальна ширина вхідного імпульсу: 20 нс
• Стійкість до синфазних перехідних процесів CMTI: 100 кВ/мкс

Параметри захисту та ізоляції:

• Напруга ізоляції: 3000 Вrms для корпусу SOP16 або 5700 Вrms для корпусу SOW16
• Захист від зниження напруги UVLO: Інтегрований на всіх виводах живлення з порогом 8 В для сторони драйвера
• Функції контролю: Програмований мертвий час для запобігання наскрізним струмам

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +125 °C
• Сертифікація безпеки: Відповідність галузевим стандартам безпеки від світових лабораторій

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Швидкісне високонадійне керування силовими ключами в ізольованих архітектурах імпульсних джерел живлення.
• Сумісні пристрої: Портативні зарядні станції, сонячні та фотоелектричні інвертори, промислові джерела безперебійного живлення.
• Системи керування: Високощільні перетворювачі енергії, серверні та телекомунікаційні блоки живлення, автомобільні зарядні пристрої для електромобілів.