Транзистор оригінальний CRJQ190N65GCF, md20n65

MOSFET-транзистор CRJQ190N65GCF

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Super Junction MOS Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 650 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 23 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 14.8 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 93 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 229 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.185 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.21 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 3.2...4.6 В
• Повний заряд затвора Qg: 41 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 1427 пФ
• Вихідна ємність Coss: 67 пФ
• Час наростання струму ton: 42.5 нс
• Час спаду струму tof: 105 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 23 А
• Максимальний імпульсний струм діода Is.puls: 93 А
• Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 220 мДж

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та 100% DVDS Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високоефективний силовий комутаційний ключ для пристроїв із високими вимогами до ККД у ввімкненому стані.
• Сумісні пристрої: Джерела безперебійного живлення, сонячні інвертори, зварювальні апарати, блоки живлення телевізорів та моніторів.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, автомобільні та побутові зарядні пристрої, системи LED-освітлення.

CRJQ190N65GCF Datasheet завантажити