Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
впередназад
Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 2
Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 3
Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 4
Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 5
Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 6

Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247

115 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 426
Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247
Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247Готово до відправки
115 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор 40T65QES Оригинал ( MBQ40T65QES ), TO247 (Заміна для 40T65FDSC, MBQ40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FESC, 40T65HD, BGN40T65HD)

IGBT-транзистор 40T65QES (MBQ40T65QES)

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: MagnaChip Semiconductor
  • Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при 20°C: 80 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 230 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.30 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 3.5...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: 115 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: 1565 пФ
  • Вихідна ємність Coss: 65 пФ
  • Час затримки вимкнення tdoff: 105 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.50 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 20 А
  • Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95 В
  • Час зворотного відновлення діода trr: 55 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.65 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.75 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високошвидкісний силовиій перемикач із низьким рівнем втрат для обладнання з жорсткими режимами комутації.
  • Сумісні пристрої: Інверторні зварювальні апарати, сонячні інвертори, джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS).
  • Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC) та ШІМ-контролери інверторних приводів.




 

40T65QES Datasheet завантажити

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм80A
Тип транзизораIGBT
КОРПУСTO-247
Інформація для замовлення
  • Ціна: 115 ₴
  • Спосіб упаковки: картон