Транзистор 70N65F MOSFET 70N65FDM1

IGBT-транзистор 70N65F (SGT70N65FDM1)

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Silan Semiconductors
• Технологічна база: Field Stop Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при 20°C: 68 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 43 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 210 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 321 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: ~1.85 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0 В
• Вхідна ємність Ciss: ~4900 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~294 пФ
• Час наростання струму tr: 171 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: ~1.65 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If: 43 А
• Тип діода: Вбудований швидкодіючий захисний діод

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Теплові властивості: Оптимізовано для роботи при високих температурах із низьким тепловим опором.

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високопотужний комутаційний ключ для побутових та промислових інверторних систем перетворення енергії.
• Сумісні пристрої: Побутові індукційні плити, інверторні зварювальні апарати, джерела безперебійного живлення (UPS).
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, схеми інвертування та ШІМ-регулятори керування потужними двигунами.

70N65F  Datasheet завантажити