Транзистор FTP08N06A Оригінал!!! 120A, 60V, MOSFET (Заміна для FQP08N06, G4N024PM) корпус TO-220

FTP08N06A- потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.
Заміна для FQP08N06, G4N024PM

MOSFET-транзистор FTP08N06A

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: InPower Semiconductor (IPS)
• Технологічна база: Power MOSFET
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 55 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 120 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 480 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 230 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on): 0.008 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~110 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~4200 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~985 пФ
• Час наростання струму tr: 58 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.5 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 120 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~70 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.65 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–середовище Rthja: 62.5 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий комутаційний ключ з низьким опором каналу для низьковольтних схем із великими струмами.
• Сумісні пристрої: Автомобільна електроніка, потужні DC-DC перетворювачі, плати захисту та балансування акумуляторів (BMS), інвертори.
• Системи керування: Високострумові ШІМ-регулятори швидкості двигунів, імпульсні стабілізатори живлення та електронні ключі комутації навантаження.

FTP08N06A Datasheet завантажити