MOSFET-транзистор SRC60R140B

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Shenzhen Sanrise Technology
• Технологічна база: Super Junction MOS Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247 (також випускається у варіантах TO-220F, TO-220C, TO-263-2)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 600 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 25 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 15.8 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 76 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 178.6 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on): 0.14 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.14 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.3...4.3 В
• Повний заряд затвора Qg: 40.4 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 1650 пФ
• Вихідна ємність Coss: 129.6 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 76 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 0.90 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 25 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 124 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.7 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–середовище Rthja: 62 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Надвисокоефективний силовиій перемикач для мережевих серверних і телекомунікаційних систем.
• Сумісні пристрої: Серверні AC/DC блоки живлення, сонячні інвертори, обчислювальна техніка та ПК.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC) з високою щільністю енергії

SRC60R140B Datasheet завантажити