MOSFET-транзистор P24N60FJD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Silan Microelectronics
• Технологічна база: Super Junction MOS Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220FJD

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 600 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 20°C: 24 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 15 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 72 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 48 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on): 0.14 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.18 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 41 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 1720 пФ
• Вихідна ємність Coss: 82 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 75 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.4 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 24 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 290 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 2.66 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–середовище Rthja: 62.5 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високоефективний комутаційний ключ для імпульсних перетворювачів із жорсткими та м'якими топологіями перемикання.
• Сумісні пристрої: Блоки живлення побутової техніки, джерела безперебійного живлення, зарядні станції та інвертори.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні коректори коефіцієнта потужності та схеми керування електродвигунами.

P24N60FJD Datasheet завантажити