Транзистор IRF740 Оригінал!!! 10A, 400V, MOSFET корпус TO-220

MOSFET-транзистор IRF740

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Vishay / International Rectifier (Infineon)
• Технологічна база: Planar Stripe Power MOSFET
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 400 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 10 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 6.3 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 40 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 125 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on): 0.55 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~63 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~1400 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~320 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): ~35 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: ~1.6 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is при 25°C: 10 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~370 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 1.0 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–середовище Rthja: 62 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високошвидкісний силовий перемикач для мережевих імпульсних джерел живлення та перетворювачів постійного струму.
• Сумісні пристрої: Електронні баласти люмінесцентних ламп, блоки живлення персональних комп'ютерів, зарядні пристрої.
• Системи керування: Високочастотні ШІМ-регулятори, схеми комутації соленоїдів та реле, драйвери двигунів постійного струму.

IRF740 Datasheet завантажити