Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор NCE80TD60BT, Оригінал!!! 160A/80A, 600V, IGBT, TO-247 NCE80TD60BP, фото 2
Транзистор NCE80TD60BT, Оригінал!!! 160A/80A, 600V, IGBT, TO-247 NCE80TD60BP, фото 3
Транзистор NCE80TD60BT, Оригінал!!! 160A/80A, 600V, IGBT, TO-247 NCE80TD60BP, фото 4

Транзистор NCE80TD60BT, Оригінал!!! 160A/80A, 600V, IGBT, TO-247 NCE80TD60BP

139 ₴

123,71 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 417
Транзистор NCE80TD60BT, Оригінал!!! 160A/80A, 600V, IGBT, TO-247 NCE80TD60BP
Транзистор NCE80TD60BT, Оригінал!!! 160A/80A, 600V, IGBT, TO-247 NCE80TD60BPГотово до відправки
139 ₴123,71 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IGBT-транзистор NCE80TD60BT

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: NCE Power
  • Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 160 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 80 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 320 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 440 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.20 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.3...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~175 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: ~3950 пФ
  • Час затримки вимкнення tdoff: ~125 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: ~1.65 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 80 А
  • Час зворотного відновлення діода trr: ~115 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.34 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 0.65 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високопотужний силовий перемикач для важконавантажених інверторних систем та зварювального обладнання.
  • Сумісні пристрої: Промислові зварювальні апарати, сонячні інвертори великої потужності, джерела безперебійного живлення (UPS).
  • Системи керування: Схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC), потужні ШІМ-контролери та системи керування трифазними двигунами.

 

NCE80TD60BT Datasheet завантажити

 

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм160A
Тип транзизораIGBT
Інформація для замовлення
  • Ціна: 123,71 ₴