IGBT-транзистор G15T60A83L

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Goford Semiconductor
• Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220F

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 30 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 15 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 45 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 31 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.60 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: ~35 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~840 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: ~68 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: ~1.55 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 15 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~45 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 4.0 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 5.0 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Малопотужні та середньопотужні інверторні схеми, що вимагають високої частоти перемикання.
• Сумісні пристрої: Побутові індукційні плити, малопотужні джерела безперебійного живлення, зварювальні апарати легкого класу.
• Системи керування: Коректори коефіцієнта потужності, блоки живлення з ШІМ-керуванням, драйвери двигунів побутової техніки.

G15T60A83L Datasheet завантажити