IGBT-транзистор YGF20N65T2

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Luxinsemi (Luxin Semiconductor)
• Технологічна база: Trench Field Stop Technology (Trench FS)
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220F (ізольований пластиковий корпус)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (короткочасно до ±30 В)
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 40 А (максимальний)
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 20 А (номінальний)
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 60 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 30.6 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В (при Ic = 20 А, Vge = 15 В, Tj = 25°C)
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.05 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.4...6.4 В
• Повний заряд затвора Qg: ~45 нКл
• Вхідна ємність Ciss: дані залежать від частоти вимірювання
• Час нарастання струму ton / Час спаду струму tof: ~20 нс / ~60 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: швидке вимкнення зі зниженим «хвостовим» струмом

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: ~1.65 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 20 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~50 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 4.9 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 5.8 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силові перемикачі для пристроїв із м'яким перемиканням (Soft switching), інверторні системи побутового призначення.
• Сумісні пристрої: Модулі керування інверторних кондиціонерів, блоки живлення побутової техніки, зварювальні апарати малої потужності.
• Системи керування: Частотно-регульовані приводи двигунів (Motor drive inverter), імпульсні схеми із ШІМ-регулюванням.

YGF20N65T2 Datasheet завантажити