Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор IRF3207 Оригінал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 2
Транзистор IRF3207 Оригінал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 3
Транзистор IRF3207 Оригінал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 4

Транзистор IRF3207 Оригінал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220

80 ₴

68 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 403
Транзистор IRF3207 Оригінал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
Транзистор IRF3207 Оригінал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220Готово до відправки
80 ₴68 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора IRF3207

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier повне заводське маркування моделі IRFB3207PBF
  • Технологічна база: HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET
  • Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
  • Виконання корпусу: TO-220 також позначається як TO-220AB

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

  • Максимальна напруга стік-витік Vdss: 75 В
  • Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
  • Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 170...180 А
  • Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 75 А
  • Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 120 А
  • Піковий імпульсний струм стоку Idm: 390...670 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 300...330 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.6...4.1 мОм при напрузі затвора 10 В
  • Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.5 мОм
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~180 нКл при напрузі затвора 10 В
  • Вхідна ємність Ciss: ~7600 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~710 пФ
  • Час наростання імпульсу tr: ~120 нс
  • Час спаду імпульсу tf: ~74 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.30 В при прямому струмі зворотного ходу
  • Час зворотного відновлення trr: ~36-54 нс
  • Максимальний прямий струм діода If: 170 А

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: ~0.45...0.50 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Потужні вихідні каскади низьковольтних перетворювачів напруги та автомобільних інверторів (12 В в 220 В).
  • Сумісні пристрої: Джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS), зарядні станції, системи високоскоростного перемикання живлення.
  • Системи керування: Схеми синхронного випрямлення у високочастотних імпульсних блоках живлення (SMPS) та контролери двигунів постійного струму.


IRF3207 Datasheet завантажити

Характеристики
Основні
ВиробникInternational Rectifier
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+75V
Максимальний струм170A
Тип транзизораMOSFET
Інформація для замовлення
  • Ціна: 68 ₴