Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор YGW75N65HP Оригінал!!! 150A/75A, 650V, IGBT (заміна для YGW75N65F1) TO-247, фото 2
Транзистор YGW75N65HP Оригінал!!! 150A/75A, 650V, IGBT (заміна для YGW75N65F1) TO-247, фото 3
Транзистор YGW75N65HP Оригінал!!! 150A/75A, 650V, IGBT (заміна для YGW75N65F1) TO-247, фото 4

Транзистор YGW75N65HP Оригінал!!! 150A/75A, 650V, IGBT (заміна для YGW75N65F1) TO-247

125 ₴

98,75 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 402
Транзистор YGW75N65HP Оригінал!!! 150A/75A, 650V, IGBT (заміна для YGW75N65F1) TO-247
Транзистор YGW75N65HP Оригінал!!! 150A/75A, 650V, IGBT (заміна для YGW75N65F1) TO-247Готово до відправки
125 ₴98,75 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор YGW75N65HP IGBT (заміна для YGW75N65F1)

Технічні характеристики IGBT-транзистора YGW75N65HP

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Luxin Semiconductor Lu-semi
  • Технологічна база: Trench Field Stop IGBT Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 20°C / 25°C максимальний: 150 А
  • Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 75 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 225...300 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 375 Вт
  • Час стійкості до короткого замикання tsc: 5 мкс при напрузі затвора 15 В

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі 75 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.1...5.7 В типове значення 4.9 В при струмі 0.75 мА
  • Повний заряд затвора Qg: ~145 нКл при напрузі керування 15 В
  • Вхідна ємність Ciss: ~4250...4700 пФ при напрузі 25 В
  • Вихідна ємність Coss: ~430 пФ
  • Час наростання імпульсу tr: ~120 нс
  • Час затримки вимкнення tdoff: ~150 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 25°C: 150 А
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 75 А
  • Особливості діода: інтегрований надшвидкий діод зворотного струму з м'яким відновленням для придушення комутаційних сплесків і викидів

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: ~0.32...0.40 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Потужний високоресурсний силовий ключ для інверторних зварювальних апаратів (MMA, TIG, MIG/MAG), де виступає посиленою та ефективнішою заміною для моделей YGW75N65F1 та YGW75N65T1.
  • Сумісні пристрої: Джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS), промислові та автомобільні інвертори 220 В, зарядні станції.
  • Системи керування: Схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC), частотно-регульовані приводи двигунів та перетворювачі з високою частотою комутації 



YGW75N65HP  Datasheet завантажити

 

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
Тип транзизораIGBT
Інформація для замовлення
  • Ціна: 98,75 ₴