Транзистор YGW50N65F1 Оригінал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (заміна для YGW40N65F1) TO247 50n65, 50n65
125 ₴
98,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Готово до відправки
- Код: 401
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор YGW50N65F1 IGBT (50N65, 50n60) LUXIN SEMI
Технічні характеристики IGBT-транзистора YGW50N65F1
Загальні параметри:
- Виробники / Бренд: Yipower Technology
- Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
- Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD
- Виконання корпусу: TO-247
Електричні параметри Гранично допустимі значення:
- Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
- Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (в окремих комутаційних режимах до ±30 В)
- Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 100 А
- Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 50 А
- Піковий імпульсний струм колектора Icm: 200 А
- Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 345...380 Вт
Статичні та динамічні характеристики транзистора:
- Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі 50 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
- Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В
- Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
- Повний заряд затвора Qg: ~115 нКл при напрузі затвора 15 В
- Вхідна ємність Ciss: ~2850 пФ
- Час затримки вимкнення tdoff: ~120-150 нс
Параметри вбудованого захисного діода:
- Типова пряма напруга діода Vf: 1.45 В при прямому струмі 50 А
- Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95 В
- Час зворотного відновлення діода trr: ~90 нс швидкий діод FRD з м'яким відновленням для придушення комутаційних сплесків
- Максимальний прямий струм діода If: 50 А
Теплові параметри та експлуатація:
- Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
- Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.36...0.42 °C/Вт
Область застосування та використання:
- Основне призначення: Силові ключі інверторних зварювальних апаратів (MMA, TIG, MIG/MAG).
- Сумісні пристрої: Зарядні станції (EcoFlow, Bluetti), джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS), сонячні та автомобільні інвертори 220 В.
- Системи керування: Частотно-регульовані приводи, контролери двигунів електроприводів, потужні імпульсні блоки живлення (SMPS).
Замена для YGW40N65F1
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Вид запчастини | Блок живлення |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість в упаковці | 1 шт. |
| Тип транзизора | IGBT |
| Максимальний струм | 100A |
| КОРПУС | TO-247 |
| Максимальна напруга+ | 650V |
Інформація для замовлення
- Ціна: 98,75 ₴









