Технічні характеристики IGBT-транзистора BT25T120 CKR

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro China Resources Microelectronics
• Технологічна база: Trench FS Field Stop Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 20°C / 25°C максимальний: 50 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 25 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 75 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 208...312 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.90...1.95 В при номінальному струмі 25 А та напрузі затвора 15 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 6.2...7.5 В
• Повний заряд затвора Qg: ~142...177 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~2360 пФ
• Час наростання імпульсу tr: ~20...36 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~93 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.35 В при прямому струмі 25 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.70 В
• Час зворотного відновлення діода trr: ~535-585 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 25...50 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.40 °C/Вт

 BT25T120 CKR Datasheet завантажити