Технічні характеристики IGBT-транзистора FGH30S130P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
• Технологічна база: Advanced Field Stop Trench та Shorted-Anode Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із вбудованим монолітним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1300 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±25 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 60 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 30 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 90 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 500 Вт
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 100°C: 250 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.75 В при номінальному струмі 30 А та напрузі затвора 15 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.5...7.5 В типове значення 6.0 В при струмі 30 мА
• Повний заряд затвора Qg: ~372.3 нКл при напрузі затвора 15 В
• Час затримки ввімкнення tdon: ~39 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~620 нс
• Час спаду імпульсу tf: ~210 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода If при 25°C: 60 А
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А
• Конфігурація захисту: інтегрований короткозамкнений анодний діод зворотного струму для м'якої резонансної комутації

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.30 °C/Вт

FGH30S130P Datasheet завантажити