Транзистор PDP8980 DP8980 (Заміна DP8974) Оригінал!!! 180A, 80V, MOSFET, TO-220 новий транзистор bluetti

Технічні характеристики MOSFET-транзистора PDP8980

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Potens Semiconductor
• Технологічна база: Advanced Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 80 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 120 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 82 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: ~440-480 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 172...187 Вт
• Гарантована лавинна енергія Eas: 100% захист від одиночного лавинного пробою

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 4.1...4.4 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 40 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 5.0...5.2 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В при струмі 250 мкА
• Повний заряд затвора Qg: типові значення адаптовані під швидкісні комутаційні плати інверторів
• Здатність витримувати швидкі зміни напруги: покращений показник dv/dt для стабільної роботи на високих частотах

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний прямий струм діода If: 120 А
• Конфігурація захисту: інтегрований швидкісний діод для захисту від енергетичних імпульсів комутації та зворотного струму

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Експлуатаційна стійкість: оптимізовано для високоефективних швидких схем перемикання, плат захисту BMS та джерел безперебійного живлення

 PDP8980 Datasheet завантажити