Транзистор IRFP064N Оригінал!!! 110A/80A, 55V, MOSFET, TO-247

Технічні характеристики MOSFET-транзистора IRFP064N

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: International Rectifier / Infineon Technologies
• Технологічна база: Advanced HEXFET Power MOSFET
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247AC

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 55 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 110 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 80 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 390 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 200 Вт
• Максимальна одиночна лавинна енергія Eas: 480 мДж

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 8.0 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 59 А
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~130-170 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~3770 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~1130 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~14 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~53 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.30 В при прямому струмі 59 А
• Час зворотного відновлення trr: ~100-150 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 110 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.75 °C/Вт

IRFP064N Datasheet завантажити