Технічні характеристики IGBT-транзистора K40T1202

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies заводське маркування моделі IKW40N120T2
• Технологічна база: TrenchStop 2nd Generation Series
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму Emitter Controlled Diode
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 75 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 110°C номінальний: 40 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 480 Вт
• Час стійкості до короткого замикання tsc: 10 мкс при напрузі затвора 15 В та напрузі колектора 600 В

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.75 В при номінальному струмі 40 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.20 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.5 В при струмі колектора 1.5 мА
• Повний заряд затвора Qg: ~192 нКл при напрузі колектора 960 В та струмі 40 А
• Вхідна ємність Ciss: ~2360 пФ при напрузі 25 В
• Вихідна ємність Coss: ~230 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~33 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~314 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.75 В при прямому струмі 40 А
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 110°C: 40 А
• Піковий імпульсний струм діода Ifpuls: 160 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.31 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 0.61 °C/Вт

K40T1202 Datasheet завантажити