Транзистор 40N60FD1 IGBT

Заміна для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60, FGH40N60SFDTU 

Технічні характеристики IGBT-транзистора 40N60FD2

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Silan Microelectronics (повне заводське маркування серії SGT40N60FD2)
• Технологічна база: Field Stop II IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму FRD
• Виконання корпусу: TO-247 / TO-3P

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 80 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 40 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 312 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.80...2.00 В при номінальному струмі 40 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.40 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Вхідна ємність Ciss: ~2100 пФ при напрузі 30 В
• Вихідна ємність Coes: ~190 пФ
• Типовий час затримки вимкнення tdoff: ~95-135 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.55...1.80 В при номінальному прямому струмі
• Час зворотного відновлення діода trr: ~40-65 нс швидкий антипаралельний діод FRD з м'яким відновленням
• Максимальний прямий струм діода If: 40 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.48 °C/Вт

40N60FD2   Datasheet завантажити