Транзистор HYG100N20NS1P Оригінал!!! 140A, 200V, MOSFET корпус TO-220

 Транзистор HYG100N20NS1P,  - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HYG100N20NS1P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологічна база: Power MOSFET Technology
• Structure транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 200 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 125 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 88 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 440 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 345 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 8.5 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 60 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 10.0 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~102 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~6300 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~28 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~95 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.85 В при прямому струмі 60 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
• Час зворотного відновлення trr: ~115 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 125 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.43 °C/Вт

HYG100N20NS1P  Datasheet завантажити