Транзистор XNS15N120T XINER

Технічні характеристики IGBT-транзистора XNS15N120T

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Xiner
• Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology Trench FS
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 20°C / 25°C максимальний: 25...30 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 15 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 45...60 А
• Час стійкості до короткого замикання tsc: 10 мкс при напрузі затвора 15 В

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70...2.10 В при номінальному струмі 15 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.50 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.5 В при струмі колектора 400 мкА
• Позитивний температурний коефіцієнт: стабільна паралельна комутація при високих температурах
• Вхідний імпеданс: високий показник для швидкого динамічного перемикання

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.75...1.95 В при номінальному струмі
• Особливості діода: інтегрований швидкісний діод для надійного захисту від індуктивних викидів струму
• Максимальний постійний прямий струм діода If: 15 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +125 °C
• Експлуатаційна сумісність: оптимізовано для промислових інверторів, частотних приводів та побутових індукційних плит

XNS15N120T Datasheet завантажити