Технічні характеристики IGBT-транзистора FGH40N60UFD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
• Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 80 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 40 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 120 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 290 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.80 В при номінальному струмі 40 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.40 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В при струмі колектора 40 мА
• Повний заряд затвора Qg: ~125 нКл при напрузі затвора 15 В
• Вхідна ємність Ciss: ~1920 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~190 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: ~105 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.70 В при прямому струмі 20 А та температурі 25°C
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.20 В
• Час зворотного відновлення діода trr: ~35-50 нс ультрашвидкий діод зворотного струму для м'якої та безпечної комутації
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 20 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.51 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.25 °C/Вт

FGH40N60UFD   Datasheet завантажити