Транзистор IKW 50H60H3 Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (заміна 50n60, K50H603) TO247

Технічні характеристики IGBT-транзистора 50H60H3

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies заводське маркування моделі IKW50N60H3
• Технологічна база: TRENCHSTOP High Speed Switching Series Third Generation H3
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247 маркується на корпусі як K50H603

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 100 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 50 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 200 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В при номінальному струмі 50 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.30 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.1...5.7 В при струмі колектора 0.8 мА
• Повний заряд затвора Qg: ~310 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~2960 пФ при напрузі 25 В
• Вихідна ємність Coss: ~190 пФ

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.55 В при прямому струмі 50 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95...2.10 В
• Час зворотного відновлення діода trr: ~130-217 нс надшвидкий антипаралельний діод з м'яким відновленням
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 25°C: 60 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт

IKW50N60H3 Datasheet завантажити