Транзистор IRF1404 Оригінал!!! 202A/143A 40V MOSFET TO-220 IRF1404PbF (заміна CS1404, IRFB1404, FHP1404A)

Характеристики

Транзистор  IRF1404 Оригінал!!! 202A/143A 40V MOSFET TO-220 IRF1404PbF (заміна CS1404, IRFB1404, FHP1404A)
Корпус -TO-220

Технічні характеристики MOSFET-транзистора IRF1404

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier
• Технологічна база: Advanced HEXFET Power MOSFET
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 40 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 202 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 75 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 143 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 808 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт
• Максимальна одиночна лавинна енергія Eas: 520 мДж

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.5 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 121 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.0 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~131 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~5600 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~2100 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~17 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~72 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.30 В при прямому струмі 121 А та напрузі затвора 0 В
• Час зворотного відновлення trr: ~74-110 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 202 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.45 °C/Вт

IRF1404 Datasheet скачать