Транзистор IRF3205 Оригінал!!! 110A/80A 55V Заміна для BUZ111S HRF3205 HUF75344P3 HY1906, HY1906P TO-220

IRF3205 - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.
Заміна для BUZ111S HRF3205 HUF75344P3 STP80NF55-06  HY1906, HY1906P

Технічні характеристики MOSFET-транзистора IRF3205

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier
• Технологічна база: Advanced HEXFET Power MOSFET
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 55 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 110 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 75 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 80 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 390 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 200 Вт
• Максимальна одиночна лавинна енергія Eas: 211 мДж

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 8.0 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 62 А
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~146 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~3247 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~1381 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~14 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~50 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.30 В при прямому струмі 62 А та напрузі затвора 0 В
• Час зворотного відновлення trr: ~69-100 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 110 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.75 °C/Вт

IRF3205 Datasheet завантажити