Технічні характеристики IGBT-транзистора FGH60N60SMD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
• Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology серія SMD
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (в окремих комутаційних режимах до ±30 В)
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 120 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 60 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 600 Вт
• Час стійкості до короткого замикання tsc: 5 мкс при температурі 150°C

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.90 В при номінальному струмі 60 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.50 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В при струмі колектора 60 мА
• Повний заряд затвора Qg: ~189 нКл при напрузі затвора 15 В
• Вхідна ємність Ciss: ~2775 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~295 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: ~100-120 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 2.10 В при прямому струмі 30 А та температурі 25°C
• Час зворотного відновлення діода trr: ~40-65 нс швидкий діод серії Stealth з дуже м'яким відновленням
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.25 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.10 °C/Вт

FGH60N60SMD Datasheet завантажити