Транзистор NCE85H21TC Оригінал!!! 210A, 85V, MOSFET корпус TO-247

Технічні характеристики MOSFET-транзистора NCE85H21TC

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NCE Power
• Технологічна база: Advanced Super Trench Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 85 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 210 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 148 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 840 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 300 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.4...4.1 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 40 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 3.9...4.95 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В при струмі 250 мкА
• Повний заряд затвора Qg: ~154 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~7600 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~890 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~24 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~86 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 В при прямому струмі 40 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.20 В
• Час зворотного відновлення trr: ~72 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 210 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.50 °C/Вт

NCE85H21TC Datasheet завантажити