Технічні характеристики MOSFET-транзистора IRF4468

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier (повне заводське маркування моделі IRFP4468PBF)
• Технологічна база: HEXFET Power MOSFET
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247 (також маркується як TO-247AC)

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 290 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 195 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 210 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 1120 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 520 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.0 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 180 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 2.6 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~360-380 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~19860-22000 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~1360 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~53 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~171 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.30 В при прямому струмі 180 А
• Час зворотного відновлення trr: ~110-140 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 290 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.29 °C/Вт

IRF4468 Datasheet завантажити