Транзистор HY5012,  - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HY5012W

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics (також маркується як HOOYI / HY)
• Технологічна база: Power MOSFET Technology (режим збагачення)
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247 (у супутніх модифікаціях зустрічається в TO-220)

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 125 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±25 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 300 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 196 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 1100 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 500 Вт
• Одиночна лавинна енергія Eas: 2000 мДж

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.9 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 150 А
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~352 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~16300 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~1570 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~55 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~122 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний прямий струм діода If при 25°C: 300 А
• Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.50 В

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.30 °C/Вт

HY5012 Datasheet завантажити