Технічні характеристики IGBT-транзистора H15ME1

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies заводське маркування моделі IHW15N120E1
• Технологічна база: TRENCHSTOP 1200V Резонансна технологія серії E1
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із вбудованим монолітним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В в імпульсних режимах до ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 30 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 15 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 45 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 180 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.55 В при номінальному струмі 15 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 1.85 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.1...6.4 В
• Повний заряд затвора Qg: ~110 нКл при напрузі затвора 15 В
• Вхідна ємність Ciss: ~1025 пФ
• Час спаду імпульсу tf: ~60 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.55 В при прямому струмі 15 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.85 В
• Максимальний прямий струм діода If: 30 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.83 °C/Вт

H15ME1 Datasheet завантажити